Мероприятия

« вернуться к списку

версия для печати

8th International Workshop on Beam Injection Assessment of Microstructures in Semiconductors (BIAMS 2006)

регион: Санкт-Петербург

город: Санкт-Петербург

место проведения: Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе, РАН

области знаний:

• физика

тип мероприятия: семинар

статус мероприятия: международное

название: 8th International Workshop on Beam Injection Assessment of Microstructures in Semiconductors (BIAMS 2006)

организаторы мероприятия:

• Natl. Univ. Singapore, Singapore
• MPI of Microstructure Physics, Halle, Germany
• Univ.Bologna, Italy
• IHP GmbH, Germany
• PTI RAS, Russia
• Univ. Compludense, Madrid, Spain
• SEH America, Vancouver, WA, USA
• National Res. Inst. Metals, Japan
• Univ. Lille, France
• Univ. of Bristol, UK
• Univ. King Fahd, Saudi Arabia
• Fukuoka Univ.Japan
• Universite de Reims-Champagne-Ardenne, France
• Inst. Microelec., Chernogolovka, Russia

контингент участников:

• все желающие

окончание регистрации: 01 апреля 2006

начало мероприятия: 11 июня 2006

оргвзнос: 2500 руб.

контакты:

• e-mail: mikhailova@wplus.mail.net
• факс: (812) 740-71-43.

ссылка: сайт с информацией

дополнительно:
Современное состояние исследований по тематике конференции:

Первые две конференции были проведены в Париже (1988 и 1991), далее в Болонии (1993), Эль Эскориале (Испания) 1996, Вулкове (Германия) 1998, Фукуоке (Япония) 2000, Лиле (Франция) 2003. О рейтинге конференции свидетельствует следующее: как правило число участников конференции около 120-150 человек из 12-15 стран мира.
Рождение этих конференций было вызвано бурным развитием высоких технологий для микро– нано и оптоэлектроники, требующих нового, адекватного этому современному направлению электроники, комплекса неразрушающих локальных методов диагностики. В это же время, в мире идет активная разработка методов, основанных на использовании тонких электронных, фотонных, рентгеновских, ионных, атомных, молекулярных пучков и металлических нанозондов. Это и растровая электронная, просвечивающая, туннельная, атомно-силовая, конфокальная микроскопия, рентгеновский ионный микроанализ, оже-, фотоэлектронная спектроскопия и др. Именно эти методы сегодня широко используются, развиваются и адаптируются к исследованию наноматериалов, структур и приборов современной электроники на любой стадии технологического процесса их получения.
Основной задачей планируемой конференции является обсуждение методических и методологических проблем, связанных с решением диагностических задач в объеме современного материаловедения микро, нано и оптоэлектроники с использованием вышеназванных методов.

Методы характеризации

• Растровая электронная микроскопия (локальная катодолюминесценция, сигналы тока и напряжения индуцированные электронным пучком, вторичная электронная эмиссия)
• Поверхностно-чувствительные методы (Оже электронная спектроскопия, вторичная ионная масс-спектроскопия, фотоэлектронная, рентгеновская спектроскопия)
• Оптические методы (высокоразрешающая фотолюминесценция, Рамановская спектроскопия)
• Зондовые методы (атомно-силовая и туннельная микроскопия)
• Просвечивающая электронная микроскопия, микроскопия прямого разрешения.
• Исследуемые материалы – полупроводники, многослойные гетероструктуры, наноструктуры и наноструктурированные материалы.

приложенные файлы:

• 038-06.doc

Обсуждение

Добавить комментарий

Обсуждение материалов доступно только после регистрации.

« к началу страницы