8th International Workshop on Beam Injection Assessment of Microstructures in Semiconductors (BIAMS 2006)
(Санкт-Петербург)
26 мая 2006 17:22
регион:
Санкт-Петербург
город:
Санкт-Петербург
место проведения:
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе, РАН
области знаний:
тип мероприятия:
семинар
статус мероприятия:
международное
название:
8th International Workshop on Beam Injection Assessment of Microstructures in Semiconductors (BIAMS 2006)
организаторы мероприятия:
- Natl. Univ. Singapore, Singapore
-
MPI of Microstructure Physics, Halle, Germany
-
Univ.Bologna, Italy
-
IHP GmbH, Germany
-
PTI RAS, Russia
-
Univ. Compludense, Madrid, Spain
-
SEH America, Vancouver, WA, USA
-
National Res. Inst. Metals, Japan
-
Univ. Lille, France
-
Univ. of Bristol, UK
-
Univ. King Fahd, Saudi Arabia
-
Fukuoka Univ.Japan
-
Universite de Reims-Champagne-Ardenne, France
-
Inst. Microelec., Chernogolovka, Russia
контингент участников:
окончание регистрации:
01 апреля 2006
начало мероприятия:
11 июня 2006
оргвзнос:
2500 руб.
контакты:
- e-mail: mikhailova@wplus.mail.net
-
факс: (812) 740-71-43.
ссылка:
сайт с информацией
дополнительно:
Современное состояние исследований по тематике конференции:
Первые две конференции были проведены в Париже (1988 и 1991), далее в Болонии (1993), Эль Эскориале (Испания) 1996, Вулкове (Германия) 1998, Фукуоке (Япония) 2000, Лиле (Франция) 2003. О рейтинге конференции свидетельствует следующее: как правило число участников конференции около 120-150 человек из 12-15 стран мира.
Рождение этих конференций было вызвано бурным развитием высоких технологий для микро– нано и оптоэлектроники, требующих нового, адекватного этому современному направлению электроники, комплекса неразрушающих локальных методов диагностики. В это же время, в мире идет активная разработка методов, основанных на использовании тонких электронных, фотонных, рентгеновских, ионных, атомных, молекулярных пучков и металлических нанозондов. Это и растровая электронная, просвечивающая, туннельная, атомно-силовая, конфокальная микроскопия, рентгеновский ионный микроанализ, оже-, фотоэлектронная спектроскопия и др. Именно эти методы сегодня широко используются, развиваются и адаптируются к исследованию наноматериалов, структур и приборов современной электроники на любой стадии технологического процесса их получения.
Основной задачей планируемой конференции является обсуждение методических и методологических проблем, связанных с решением диагностических задач в объеме современного материаловедения микро, нано и оптоэлектроники с использованием вышеназванных методов.
Методы характеризации
- Растровая электронная микроскопия (локальная катодолюминесценция, сигналы тока и напряжения индуцированные электронным пучком, вторичная электронная эмиссия)
- Поверхностно-чувствительные методы (Оже электронная спектроскопия, вторичная ионная масс-спектроскопия, фотоэлектронная, рентгеновская спектроскопия)
- Оптические методы (высокоразрешающая фотолюминесценция, Рамановская спектроскопия)
- Зондовые методы (атомно-силовая и туннельная микроскопия)
- Просвечивающая электронная микроскопия, микроскопия прямого разрешения.
- Исследуемые материалы – полупроводники, многослойные гетероструктуры, наноструктуры и наноструктурированные материалы.
Рабочий язык конференции – английский
приложенные файлы:
|